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15:45, 27 февраля 2026Силовые структуры
，详情可参考夫子
在传统存储产品方面，10nm以下DRAM制造工艺正成为主流，并逐步向7nm工艺突破，通过“FinFET架构+TSV技术”提升密度、降低功耗。3D NAND堆叠层数突破400层后，“垂直堆叠”难度加剧，厂商转向“水平扩展+架构优化”，比如三星V-NAND的阶梯式架构、Kioxia的BiCS架构，同时引入“HKC（高K介质+金属栅）”技术，解决高层数堆叠的漏电、散热问题，制造工艺从“层数竞赛”转向“架构+工艺”双重竞争。
还有一个现象值得注意。81%的大企业目前同时在测试或使用三个以上的AI模型，比一年前高了13个百分点。没有任何一家在赢者通吃。企业的采购策略越来越像投资组合管理——不同场景配不同模型，随时可以切换，谁都不想被单一供应商锁死。